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  • 红外探测成像仪

    所属领域:电子信息
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:FLIR //T620
    性能参数:热灵敏度/NETD : <0.05℃@+30℃ 波长范围:7.8—14μm 红外像素: 640×480 温度范围:–20°C to +150°C,100°C to +650°C 温度精度:±2°C或读数±2%
    功能用途:FLIR T620红外热像仪提供了高达 307,200 像素(640 × 480)的红外图像和优异的热灵敏度,使温度测量更加精确。且内置500万像素的可见光数码相机,可同时获取清晰的可见光图像和热图像,高效创建报告。通过FLIRViewerapp软件.可将图像从热像仪导出,添加方框区域和可移动的测温点,调整图像,生成综合报告。该设备可以为分析LED芯片及LED产品的热扩散及热流分布提供必要的数据依据。


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  • 玻璃精密刻蚀系统

    所属领域:电子信息
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:牛津仪器等离子技术公司 //PlasmaPro 100 Estrelas
    性能参数:具备硅低温刻蚀工艺能力;可实现亚百纳米精细结构的刻蚀;可实现通孔刻蚀;刻蚀均匀性±<2.5%;常规BOSCH工艺刻蚀速率为2 到25 μm/min;硅/二氧化硅刻蚀选择比:>80:1,硅/光刻胶刻蚀选择比:>50:1,侧壁与底面夹角:90°±1°;侧壁与底面夹角在一定范围内可调。
    功能用途:硅/氧化硅/玻璃刻蚀


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  • 化学机械抛光系统

    所属领域:电子信息
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:德国Logitech Limited //LP50
    性能参数:系统适宜于加工Si及相似材料晶片,加工的常规尺寸为Ф150mm及以下,厚度为0.3~1.5mm;机械化学抛光后Ф100mm晶片的总厚度偏差(TTV)在±3um以内;Ф150mm晶片的总厚度偏差(TTV)在±5um以内,机械化学抛光后晶片的表面粗糙度(Ra)Si Ra≤2nm。
    功能用途:样片减薄抛光


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  • 台阶仪

    所属领域:电子信息
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:Bruker公司 //Dektak XT Dimension Edge
    性能参数:Z方向测量高度:1mm; Z方向分辨率:0.1nm; X、Y行程:150mm; 台阶高度重复性:5A;三维扫描功能; 具备测量薄膜应力功能.
    功能用途:台阶高度测试;样片应力测试。


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  • RS-5B 标准光源

    所属领域:电子信息
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:Gamma Scientific //RS-5B
    性能参数:1.white light:6500K 2.405nm, bandwidth:40nm 3.449nm, bandwidth:40nm 4.506nm, bandwidth:60nm 5.550nm, bandwidth:50nm 6.590nm, bandwidth:30nm 7.661nm, bandwidth:40nm 8.700nm, bandwidth:40nm 9.850nm, bandwidth:80nm 10.1060nm, bandwidth:80nm
    功能用途:可测试光电传感器件在不同波长、不同光强下的光响应特性


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  • X射线衍射仪

    所属领域:新材料
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:Bruker //D8 ADVANCE
    性能参数:1、标准和多功能样品台,零背景样品托;2、聚焦光、平行光及点光源切换方便;3、林克斯一维阵列探测器:相对与常规探测器强度提高150倍以上,灵敏度提高一个数量级;4、各种分析和拟合软件。可测量样品种类:粉末、块材、薄膜等常规和微量、小的(2*2平方毫米)样品。
    功能用途:主要用来精确测定物质的晶体结构、织构、应力、极图、反射率等,精确的进行物相分析、定性分析及定量分析等;已广泛应用于各种材料结构分析的各个领域,是材料研究不可或缺的核心设备


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  • 比表面积及介孔/微孔分析仪

    所属领域:新材料
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:Micromeritics //ASAP 2020HD88
    性能参数:主要指标:1)比表面积最高可到0.0005m2/g;2)孔直径范围:3.5-5000埃;3)微孔体积可达到0.0001cc/g;
    功能用途:主要用于确定材料的比表面积和孔尺寸大小及分布


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  • 半导体综合特性分析仪

    所属领域:电子信息
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:Agilent Technilogies //B1505A
    性能参数:大功率SMU提供10fA至1A与2uV至200V的IV测量功能。高电压SMU可在3000V时执行次微微安泄漏测量。高电压SMU可在8mA时提供1500V的电压或在4mA(脉冲或直流)时提供3000V的电压;脉冲宽度为500us至2s。多频率(1KHz至5MHz)电容测量单元可在高达3000V直流偏置时提供CV电容测试能力。
    功能用途:在高电压、大电流的功率器件研究中需要准确测量高电压、大电流时芯片的特性与器件的参数。Agilent B1505A半导体综合特性分析仪可用于在整个工作范围精确测量功率器件的电压-电流特性,测量器件的漏极-源极特性和结电容;用于晶圆片上芯片的各种电学特性的测量,以便于评价芯片的质量。


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  • 波长色散X射线荧光光谱仪

    所属领域:新材料
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:Rigaku Corporation(株式会社理学) //ZSX PimusⅡ
    性能参数:1. 最高功率:4KW;2. 有效分析元素范围:氟(F)到铀(U);3. 重复性:优于0.3%
    功能用途:通过利用x射线激发样品的荧光x射线,从而快速、无损地分析样品所含的元素(F-U元素),并对所含元素进行定性和定量分析。


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  • 等离子体光谱仪

    所属领域:新材料
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:PerkinElmer(PE) //OPTIMA8000
    性能参数:主要性能指标:1.动态范围:同时准确分析出中量(1%以上)、常量(0.01%)和微量(1ppm以下)元素。2.分析速度:≥15个元素/分钟。3.稳定性:1小时RSD<1%,4小时RSD<2%。4.分辨率:200nm处,像素分辨率≤0.003nm。5.检出限:0.2ppb。6.测试样品状态:溶液(不含有机溶剂、高HF、硫酸、磷酸)。7.测试元素:绝大多数金属元素及部分非金属元素。
    功能用途:用于冶金、环保、化工、医药等行业,对各类样品中主量、微量及痕量元素的定性、半定量和定量分析,由计算机实现全自动控制检测。


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  • 高速摄影仪

    所属领域:能源环保
    所属平台成员单位:中科院
    厂商型号:ANDOR TECHNOLOGY PLC //DH334T-18U-03
    性能参数:有效CCD面积:13.3×13.3 mm 有效像素:1024×1024 CCD像素尺寸:13×13 μm 光阴极光谱范围:120-1100 nm 最小光学门宽:2 ns 焦距:500 mm 光圈:6.5 波长范围:190 nm-10 μm 波长分辨率:0.05 nm
    功能用途:放电发展过程瞬时拍摄;发射光谱记录


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