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设备名称 双频刻蚀系统
英文名称 HELICON ETCHING SYSTEM
所属领域 新材料
所在单位 清华大学
厂商及型号规格 ANELVA株式会社  HeliconDFR
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性能参数 刻蚀的均匀性:小于5%;刻蚀深度:nm~数百μm;衬底偏置功率:5-30W;刻蚀的垂直度:90°±1°
主要功能及应用领域 主要对硅的纳米刻蚀及深刻蚀
仪器原值(万元) 673.6万元
启用时间 2004-03-01
联系方式
机构名称 科威国际技术转移有限公司
负责人 谭鸿鑫
联系人 刘芷彤
电话 010-62795180-261
邮箱 lzt@ittc.com.cn
地址 海淀区中关村东路1号清华科技园科技大厦B座701B/D室
邮编 100084